實體 — GaN HEMT (Gallium Nitride High-Electron-Mobility Transistor)
氮化鎵高電子遷移率電晶體。本文建模對象之一，與 Si MOSFET 在 C_ds 物理上不同。
關鍵特性
- 無 PN 結 body diode：C_ds 不由 PN 結主導。
- C_ds 兩成分：金屬幾何電容 C_metal（高壓漸近）、2DEG 場板耗盡電容 C_2DEG（見 2deg）。
- C_ds(V_DS) 用 sigmoidal/Hill 描述：C_metal + C_2DEG/[1+(V_DS/V_trans)
建模要點
見 non-linear-capacitance-extraction。
相關
- power-mosfet — 對比元件
- 2deg — 物理基礎
- power-semiconductor-modeling