概念 — 非線性電容萃取
從 datasheet 量測值反推連續非線性電容 C_gs(V)、C_gd(V_DS)、C_ds(V_DS) 的方法，用於大信號切換仿真。
動機
datasheet 的 C_iss, C_oss, C_rss 是 V_GS=0V 小信號 AC 量測，低 V_DS 區域失真（C_gd 暴增 10~100× 量不到）。直接用於 DPT 仿真會低估切換損耗與 dv/dt 過渡。
量測關係（小信號）
- C_iss = C_gs + C_gd
- C_oss = C_ds + C_gd
- C_rss = C_gd（Miller 電容）
三步萃取（見 2026-joe-nonlinear-capacitance-power-fet）
- C_gs 與 V_plat：C_gs ≈ C_iss − C_rss（近常數）；V_plat = Q_GS / C_gs（須落在 V_GS(th) 與 V_drive 間）。
- C_gd(V_DS)：高壓區 C_gd,high = C_rss；低壓區 C_gd,low 由 overdrive 區電荷反推；用 Lorentzian/smooth-step 連續化，V_trans,gd 由 Q_GD 積分定。
- C_ds(V_DS)（GaN）：sigmoidal/Hill——C_metal + C_2DEG/[1+(V_DS/V_trans)
為什麼用電荷而非 AC
Q=∫C(v)dv，對整條軌跡連續積分，在低偏壓不受儀器限制，可捕捉峰值與膝電壓。見 charge-conservation-qv。