實體 — 二維電子氣 (2DEG, Two-Dimensional Electron Gas)
GaN HEMT 導通通道中的高遷移率二維電子層，位於異質接面（AlGaN/GaN）處。
與建模的關係
GaN HEMT 的 C_ds 含 2DEG 場板耗盡電容 C_2DEG：場板下方通道電荷隨 V_DS 變化，貢獻低壓區 C_ds 的非線性部分。這是 GaN 與 Si MOSFET（C_ds 由 PN 結主導）的根本差異。
GaN HEMT 導通通道中的高遷移率二維電子層，位於異質接面（AlGaN/GaN）處。
GaN HEMT 的 C_ds 含 2DEG 場板耗盡電容 C_2DEG：場板下方通道電荷隨 V_DS 變化，貢獻低壓區 C_ds 的非線性部分。這是 GaN 與 Si MOSFET（C_ds 由 PN 結主導）的根本差異。