實體 — 功率 MOSFET (Power MOSFET)
功率金氧半場效電晶體。本文建模對象之一。
關鍵特性（與建模相關）
- 有 PN 結 body diode；C_ds 主由 PN 結耗盡層主導（與 GaN 不同）。
- 小信號電容：C_iss = C_gs + C_gd、C_oss = C_ds + C_gd、C_rss = C_gd。
- 大信號行為：V_DS→0V 時 C_gd 暴增；存在 Miller 平台。
建模要點
見 non-linear-capacitance-extraction、miller-plateau。